就在今天,三星正式像大家宣布将推出全新10nm工艺的DDR4笔记本内存模组,主要应用于高性能游戏本领域。
新的内存模组容量达到32GB单条,频率2666MHz,结构上是由16个16Gb DDR4 DRAM芯片组成。
三星称,新品取代的是2014年推出的20nm级16GB SoDIMM模组,后者的单芯片容量是8Gb。
当然,换用更先进的制造工艺和采用更高容量后,不仅功耗减少39%,速度也快了11%。
按照三星的官方数据,配备2x32GB新内存的游戏本,活动功耗会低于4.6瓦,空闲功耗会低于1.4瓦。
目前,三星的10nm工艺级的DRAM产品已经涵盖最大容量16Gb的LPDDR4内存、GDDR5显存和DDR4内存等。